三星计划明年三月启动第十代V-NAND闪存量产线建设
据韩媒ETNews当地时间昨日报道，三星电子计划于明年三月启动其下一代3D NAND闪存——第十代V-NAND的首条量产线建设，并有望在当年10月进入全面量产阶段。根据三星的建设计划，该产线将于2026年3月开始设备安装，上半年完成产线建设，随后进行试生产，稳定后将转入正式量产，这一时间表略晚于此前部分业内人士的预期。
目前，三星电子最先进的NAND工艺为286层的V9，而下一代V10的堆叠层数将大幅增加至400层以上，据称可达430层左右，届时有望成为堆叠层数最高的闪存产品。此外，V10 NAND还引入了超低温蚀刻、混合键合等先进技术，其TLC版本可实现28Gb/mm²的存储密度和5.6Gbps的I/O引脚速率。
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