美光加速采购韩美半导体设备，扩大HBM内存产能
据《韩联社》报道，美光科技正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体（HANMI Semiconductor）所生产的TC键合设备，旨在为其12Hi HBM3E内存的扩展奠定设备基础。这一举措显示出美光在高端内存市场领域的积极布局和扩张野心。报道指出，美光去年对韩美半导体的TC键合机采购量约为30至40台，但今年上半年的订单规模就已经超过了这一水平。这表明美光对TC键合设备的需求正在急剧增加，以支持其HBM内存产能的快速提升。
韩美半导体的TC键合设备能够实现12Hi的TC键合，这是目前市场上其他供应商所无法比拟的。相比之下，另一家TC键合设备供应商日本新川（SHINKAWA）的机台仅能满足8Hi键合的需求。因此，韩美半导体的设备成为了美光扩大HBM内存产能的关键选择。
据另一家韩媒ChosunBiz报道，美光有望在今年底将HBM内存的产量提升至每月6万片晶圆，这一产量接近HBM领域龙头SK海力士现有水平的一半。这一产能提升计划将有助于美光实现HBM市占率与整体DRAM内存持平的目标。
此外，美光还计划在未来几年内，在新加坡、日本广岛和美国爱达荷州等地建设HBM内存生产线。其中，美国纽约州工厂的HBM产线也将于2027年投入运营。这一系列举措显示出美光对HBM内存市场的长期承诺和投入。
综上所述，美光通过加速采购韩美半导体的TC键合设备，旨在快速提升其HBM内存的产能和市场份额。随着高端内存市场的不断发展，美光的这一布局有望为其带来显著的竞争优势和市场回报。
页:
[1]