科技媒体ZDNet Korea发布博文称,三星电子在第九代(V9)高容量QLC NAND商用化进程中遭遇阻碍,原本计划的大规模商用时间被迫推迟至2026年上半年。据悉,三星已于2024年4月开始量产采用TLC(三层单元)结构的V9 NAND,容量达到1Tb。随后在9月,三星开始量产更高容量的V9 QLC(四层单元)NAND。然而,初期V9 QLC产品被发现存在设计缺陷,导致性能下降,这迫使三星不得不推迟其上市时间。
尽管三星在整个NAND市场中占据主导地位,但在QLC NAND领域却显得滞后。目前,三星的旗舰QLC NAND产品仍停留在V7代,而V8代尚未发布QLC版本。相比之下,竞争对手SK海力士在8月底宣布完成321层、2Tb QLC NAND的研发并成功量产,成为全球首款超过300层的QLC产品。该产品数据传输速度是前代的两倍,写入性能提高56%,读取性能提升18%,写入功耗效率增加23%,在AI数据中心等低功耗至关重要的领域展现出更强的竞争力。
此外,三星在今年2月发布了超过400层的V10级1Tb TLC NAND,但至今尚未公布其商用时间表。而日本铠侠也在2025年初展示了V10级332层NAND,但同样尚未进入量产阶段。 |