三星电子加速NAND闪存设施升级，第九代V-NAND量产在即

据韩媒sisajournal-e报道，三星电子正积极推进其较旧NAND闪存生产设施向目前最先进的第九代V-NAND（286层）转换，以应对市场需求变化。

报道指出，三星目前正为其韩国平泽P1晶圆厂的NAND产能从V6更新至V9进行设备投资，并计划将中国西安X2晶圆厂从目前的V7/V8升级至V9。这一举措旨在应对AI服务器对高容量QLC企业级SSD需求短暂低潮后的复苏，确保三星在NAND闪存市场的领先地位。

然而，三星电子也放缓了下一代400+层NAND闪存工艺V10的量产进度。据报道，这与超低温蚀刻技术导入遇阻有关，可能导致V10 NAND量产线的投资建设计划延至2026年上半年。尽管如此，三星电子在NAND闪存技术领域的持续投入和升级，仍显示出其对未来市场发展的坚定信心。