三星全力提升2纳米GAA技术良率，泰勒工厂开业时间推迟至2026年

三星一直致力于通过先进的制造工艺吸引客户，但这一进程遭遇了多重挑战。这些挑战不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到了2026年，还使得公司1.4纳米工艺的推进受到阻碍。目前，三星正集中精力提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

据Chosun最新报道，三星已启动“选择与集中”战略，旨在将2纳米GAA技术的良率提升至60%至70%的水平。一旦达到这一关键里程碑，三星将有望实现该技术的大规模生产，并进一步向潜在客户展示其技术潜力。

三星电子商业支持特别工作组与三星全球研究院正携手推进这一良率提升战略。消息人士在社交媒体上透露，三星对这一光刻技术的重视，主要源于客户对半导体产品的持续需求。预计这些客户在未来两到三年内仍会依赖这项技术。尽管投资于2纳米以下的工艺存在较高风险，但三星在2纳米GAA节点上已取得一定进展，这使其成为三星实现复兴、对抗台积电的一条可行路径。

然而，三星的处境依然充满挑战。此前有报道称，三星曾有望为高通生产骁龙8 Elite Gen 2芯片，但在试生产阶段完成后，高通却取消了这一计划。尽管如此，三星并未气馁，据悉其已完成第二代2纳米工艺的基本设计，并计划在未来两年内推出第三代技术“SF2P+”。

通常情况下，晶圆生产要达到商业可行，客户的良率需达到70%。为此，三星高管已为各部门设定了六个月的期限，以实现这一目标。