联发科首款2nm制程旗舰SoC完成设计流片，预计2026年底量产

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联发科今日宣布，其首款采用台积电2nm制程工艺的旗舰SoC已成功完成设计流片，成为首批应用该先进技术的企业之一。据产品规划推测，这款芯片即为下一代天玑9系旗舰——天玑9600，预计将于2026年底进入量产阶段并正式上市。

台积电2nm制程技术首次引入纳米片（Nanosheet）晶体管结构，在性能、功耗和良率方面实现显著提升。联发科表示，相较于现有的N3E制程，强化版2nm制程的逻辑密度增加1.2倍，同等功耗下性能提升最高达18%，相同速度下功耗可降低约36%。目前联发科未披露具体产品参数，业界推测该芯片将延续高能效定位，可能集成新一代AI处理单元及先进影像架构。此次技术突破标志着联发科在高端芯片市场的竞争力进一步提升，2nm制程的商用化进程也将为移动设备性能带来跨越式发展。