三星着手研发1nm晶圆代工工艺

三星电子已正式启动1.0nm晶圆代工工艺的研发项目。为此，三星半导体研究所从现有的尖端制程研发团队中抽调了部分精英人员，组建了专项项目团队，以期在与台积电等竞争对手的激烈角逐中实现技术超越。

据透露，三星电子目前最尖端的晶圆代工工艺为1.4nm，并计划在2027年实现量产。然而，三星对1.0nm工艺寄予厚望，认为这将是其在晶圆代工领域实现技术翻盘的关键。为了实现这一目标，三星需要打破现有的设计框架，引入全新的技术概念和下一代的生产设备，如高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等。

尽管三星在3nm工艺的量产以及2nm工艺的研发方面已经取得了一定的进展，但据业内人士分析，与台积电相比，三星在技术上仍存在一定的差距。尤其是在2nm工艺的良率方面，台积电的表现尤为突出，已经突破了60%的良率大关。因此，三星希望通过1.0nm工艺的研发，能够缩小与台积电的技术差距，甚至实现技术超越。

值得一提的是，三星电子的会长李在镕对1.0nm工艺的研发非常重视。他强调，三星需要延续重视技术的传统，通过前所未有的技术创新来引领未来。这一表态也充分表明了三星在晶圆代工领域持续投入的决心和信心。

然而，1.0nm工艺的研发之路并不会一帆风顺。由于技术难度极大，需要引入全新的生产设备和材料，因此量产时间预计在2029年之后。但即便如此，三星仍然对1.0nm工艺的前景充满信心，并期待这一技术的突破能够为公司在晶圆代工领域带来更多的市场机遇和技术优势。