三星12层堆叠HBM3E技术获英伟达确认，将用于最新AI加速芯片GB300

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据韩媒报道，英伟达已基本确定其最新AI加速芯片GB300将采用三星的第五代高带宽HBM3E技术，这标志着三星在经历多次波折后，终于成功打入英伟达的供应链。据知情人士透露，英伟达CEO近期已向三星电子会长李在镕发送正式信函，确认GB300芯片将搭载三星的12层堆叠HBM3E技术。目前，双方正就供货数量、价格及交付时间等细节进行最后的协调。

此次合作距离三星首次被传出入选英伟达供应链已有1年7个月。去年3月，在NVIDIA GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋曾亲自对三星的HBM3E样品给予认可，并在样品上签下“Jensen Approved”。然而，随后三星在英伟达的质量测试中遭遇了多次挫折。今年1月的美国CES 2025展会上，黄仁勋更是直言“HBM需要重新设计”，这令三星在半导体业界陷入尴尬境地。随后，有消息称三星电子会长李在镕下令内部进行“强硬式改革”，力求让自家的HBM技术更加可靠。

尽管目前AI硬件业界已逐步转向第六代HBM4芯片，但三星此次供应的HBM3E芯片仍具有里程碑式的意义，不仅有望加快HBM4的量产认证速度，也展示了三星在高端存储技术领域的实力。值得注意的是，有分析指出三星的这一成果离不开其积极的商务策略，部分知情人士称，李在镕从8月底开始大部分时间都在美国开展商务活动，并与黄仁勋进行了面谈。对于相关消息，三星电子回应称无法对客户公司的相关信息进行确认。