三星4nm工艺HBM4内存逻辑裸片良率超90%

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据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子晶圆代工部门为存储器部门制造的4nm工艺HBM4内存逻辑裸片，良率已经超过90%。三星电子在HBM4上采用了较为激进的工艺组合，即以1cnm DRAM Die搭配4nm Logic Die，而竞争对手台积电目前提供的高性能HBM Logic Die方案则是基于5nm制程节点。据称，这笔来自三星电子内部存储器部门的订单，已经占据了三星晶圆代工4nm节点约半数的产能，同时4nm工艺的整体良率也突破了80%大关。对于三星电子而言，在HBM内存对逻辑裸片工艺制程要求日益提升的背景下，存储器部门HBM业务市场份额的恢复，也意味着晶圆代工部门将能够获得更大规模的内部订单，进而有助于其盈利状况的改善。