SK 海力士与英伟达敲定 HBM4 供应协议，单价涨逾 50%

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SK 海力士已与英伟达就 2026 年 HBM4 高带宽存储器的供应达成协议，每颗单价定为约 560 美元（约合 3989 元人民币），较上一代 HBM3E 上涨超过 50%。这一价格基本采纳了 SK 海力士最初提出的 550 美元报价，反映出新一代产品在技术复杂度与制造成本上的显著提升。

HBM4 采用 12 层堆叠结构，I/O 通道数量翻倍至 2048 个，并在基底芯片中首次集成逻辑制程功能，用于优化计算效率与能效管理。由于技术升级，SK 海力士自 HBM4 起将基底芯片的生产转由台积电代工，此前该环节由其内部完成。尽管英伟达曾因三星电子和美光也将量产 HBM4 而对大幅涨价持保留态度，但最终仍接受了 SK 海力士的定价方案。

据业内估计，SK 海力士 HBM4 产品的营业利润率可达约 60%。公司预计 2026 年 HBM 销售额将达 40–42 万亿韩元（约合 2084 亿元人民币），相关营业利润有望达到 25 万亿韩元（约合 1240 亿元人民币），较 2025 年提升 40%–50%。随着 HBM4 在下半年全面取代 HBM3E 成为主力产品，叠加通用 DRAM 价格持续走高，SK 海力士整体营业利润有望突破 70 万亿韩元。目前，其 2026 年 HBM 产能已被客户提前预订一空，高盈利态势预计将持续。