SK海力士研发高带宽存储HBS技术，垂直堆叠16层芯片提升AI算力

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据韩国“电子新闻”报道，SK海力士正推进高带宽存储（HBS）技术研发，采用垂直导线扇出（VFO）封装工艺，将最多16层DRAM与NAND芯片垂直堆叠，通过直线连接替代传统弯曲导线，显著缩短布线距离并减少信号损耗与延迟，同时支持更多I/O通道以提升数据处理速度。该技术早在2023年已首次展示，随着生成式AI普及，HBS有望应用于智能手机和平板电脑，增强设备AI算力。

HBS封装无需硅通孔（TSV）工艺，可降低芯片制造成本并提高良率。骁龙8至尊版Gen 6 Pro因兼容LPDDR6与UFS 5.0，被视为HBS潜在首发平台。此外，苹果计划在未来的设备中使用HBM和TSV技术以运行复杂AI模型，其研究HBS技术也在情理之中。