三星开发新型NAND闪存技术，功耗大幅降低96%

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三星先进技术研究院（SAIT）研究团队近日成功开发出一种新型NAND闪存结构，该技术能够将存储设备的功耗降低96%，为人工智能数据中心、移动设备及其他依赖存储芯片的终端产品带来革命性变化。这项突破性技术通过创新性地融合铁电材料与氧化物半导体，解决了传统NAND闪存技术在提升存储密度过程中导致的能耗问题。

NAND闪存作为非易失性存储介质，能够在断电后长期保存大量数据，其工作原理是通过向存储单元注入电子实现数据写入。随着存储需求的增加，业界普遍采用堆叠更多存储层的方式提升芯片容量，但这一做法显著增加了数据读写过程中的能耗，尤其在大规模数据中心场景中，功耗已成为制约发展的关键瓶颈。

三星研究团队另辟蹊径，将氧化物半导体与铁电结构协同设计，克服了氧化物半导体阈值电压不稳定的技术障碍。铁电材料具备自维持电极化特性，无需持续供电即可保持状态，这一特性被巧妙应用于新型闪存架构中，从而实现了高达96%的功耗降幅。

该研究成果已发表于全球顶尖的多学科科学期刊《自然》，三星电子SAIT研究员、本研究第一作者Yoo Si-jeong表示："我们已验证了实现超低功耗NAND闪存的可行性。在AI生态系统中，存储器的角色日益关键，未来我们将持续推进后续研究，目标是实现该技术的商业化落地。"