三星电子调整DRAM产能布局，聚焦1b nm以提升利润

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12月2日，据韩媒DealSite报道，三星电子正考虑对其DRAM产能进行重大调整，计划将支撑HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30%至40%。此举旨在通过制程转换，提升适用于通用内存产品的1b nm产能，从而实现利润的最大化。

目前，三星电子的HBM3和HBM3E内存均基于1a nm DRAM工艺生产，而即将推出的HBM4则将采用更先进的1c nm工艺。与此同时，1b nm工艺产能则完全用于生产通用内存产品。由于AI技术的快速发展对内存需求激增，以及HBM内存对产能的挤占效应，DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品价格近期经历了快速上涨。对于三星电子而言，1b nm产能的盈利能力已超越传统认知中受益于HBM高价格的1a nm产能。

尽管三星电子最终成为了英伟达的HBM3E供应商，但其供货规模相对有限。此外，三星电子在HBM3E上的平均售价较SK海力士低出三成，且预计从2026年起，HBM3E价格还将下降30%。面对这一市场形势，三星电子决定调整产能布局。

据消息人士透露，若三星电子将1a nm DRAM的30%至40%产能，以及1z nm等更为成熟工艺的产能转换为1b nm，则1b nm的投片量有望每月额外增加8万片晶圆。这一调整将有助于三星电子更好地应对市场需求变化，提升整体盈利能力。