SK海力士将在下一代NAND闪存中应用混合键合技术

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据韩国经济日报当地时间12月8日报道，SK海力士计划在其下一代（V10）NAND闪存产品中首次应用混合键合技术，该产品的堆叠层数将达到300层以上。传统上，NAND闪存是通过单片晶圆制造存储阵列和外围电路，但随着堆叠层数的增加，外围电路在加工过程中出现故障的风险也随之上升。

混合键合工艺在NAND闪存制造中的应用，能够有效解决这一问题。该工艺将存储阵列和外围电路分别在两块晶圆上制造，最后再键合为一体，有助于保持外围电路的良率，缩短生产时间，并提升NAND闪存的整体性能。不过，实现高密度I/O连接的混合键合过程相当复杂。

目前，SK海力士正在开发堆叠层数超过300层的V10 NAND闪存，现有V9 NAND闪存的堆叠层数为321层。SK海力士计划于明年完成V10 NAND的研发工作，并预计在2027年初实现量产。