在全球DRAM供应持续紧张、价格大幅波动的背景下，SK海力士就内存短缺现状及应对措施作

这里可以调整气泡内文字大小！滑动试试吧！ ×

12 px

26 px

在全球DRAM供应持续紧张、价格大幅波动的背景下，SK海力士就内存短缺现状及应对措施作出回应。公司表示，内存需求增长明显超出预期，正通过新建晶圆厂和提前部署产能来应对AI相关内存需求的快速上升，但目前仍难以判断内存短缺的持续时间。SK海力士新建的M15X工厂已在两年内完成施工并提前投产，专用于HBM芯片生产，计划明年全面量产。此外，公司还计划于2027年上半年投产龙仁工厂，积极确保“厂房空间”与“生产产能”，以高效应对人工智能内存需求及客户需求变化。

随着DRAM供应趋紧，内存价格快速上涨已对整个电子产业链产生影响，笔记本电脑、台式机、智能手机等依赖内存的电子设备未来可能面临成本上升压力。SK海力士内部分析指出，在AI服务器需求快速扩张的推动下，全球DRAM市场正进入新一轮“超级周期”。通用型DRAM供给增长预计将在2028年前持续受限，库存水平快速下降，价格上行压力仍将延续。服务器DRAM占比预计将从2025年的38%提升至2030年的53%，AI相关负载被视为推动本轮超级周期的核心驱动力。

在服务器存储方面，受AI需求拉动，企业级SSD需求预计增长36%；消费级存储整体需求增长有限，但QLC产品占比有望持续扩大。SK海力士预计，2026年PC整体出货量将与2025年基本持平，但DRAM需求仍将上行，主要原因在于AIPC的快速普及。2026年AI PC预计将占PC总出货量的55%，单机DRAM搭载容量随AI功能需求提升而增加。普通PC DRAM产量增速预计在2028年前持续低于需求增速，新建DRAM晶圆厂带来的额外产能预计要到2028年后才能对市场形成实质性补充。

此外，SK海力士分析指出，当前IDM厂商的主要资本开支正集中于服务器DRAM与HBM领域，导致NAND投入相对不足。公司计划通过消耗现有NAND库存应对阶段性需求缺口，但整体来看，NAND库存水平预计将明显下降，市场供给趋紧，价格上行压力有望持续。