SK海力士发布5-Bit NAND技术，存储密度与性能实现突破

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在AI技术驱动存储需求升级的背景下，存储厂商对NAND闪存产能扩张持谨慎态度，并加速淘汰MLC等旧技术。其中，SK海力士于去年12月公布的5-Bit NAND技术引发行业关注。该技术采用Multi-Site Cell（MSC）NAND方案，通过将单个3D NAND单元分割为两个独立存储位（Site），在提升单元数据容量的同时，将所需电压降低至传统方案的三分之二。结合4D 2.0架构应用，SK海力士成功突破传统QLC（4-Bit）闪存面临的“电压状态壁垒”，实现每单元5-Bit存储能力，且未牺牲读写速度与耐久性。

据技术细节披露，5-Bit NAND通过分立存储位设计，使每个Site的电压需求显著降低，从而提升整体存储密度。相较于已量产但存在读取可靠性低、寿命较短问题的QLC 3D NAND，该技术可将单颗NAND芯片及SSD固态硬盘的存储容量提升25%。这一突破不仅解决了高密度存储与性能平衡的难题，更为AI算力基础设施、大数据存储等场景提供了更高效的解决方案。