三星第六代10纳米级DRAM良率突破60%，HBM4内存量产进程加速

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韩媒报道，三星电子第六代10纳米级DRAM内存制程工艺（1c nm）良率已提升至约60%，突破量产盈亏平衡点。该工艺被应用于三星HBM4内存生产，更高的DRAM Die良率有助于提升HBM4产品利润，增强业绩表现。与近期采取的谨慎量产策略不同，三星此次快速推进1c DRAM量产，旨在更积极响应市场动态，从而从英伟达等关键客户处争取更多订单。

据集邦咨询分析，受规格提升和现有HBM3E平台需求旺盛推动，HBM内存量产时间最快将于2026年第一季度末到来，三星电子、SK海力士及美光等厂商仍有时间优化产品良率。