英特尔EMIB技术：引领下一代先进封装潮流

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英特尔本周四对其EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术与传统2.5D封装方案进行了详细对比，突出展示了EMIB在成本、设计复杂度和系统灵活性上的显著优势，强调其更适合下一代先进封装芯片的设计与扩展。EMIB技术已被广泛应用于英特尔多款产品中，如Ponte Vecchio、Sapphire Rapids等，并将继续成为英特尔自研芯片及代工客户产品的核心能力。与台积电等竞争对手采用的2.5D和3D先进封装方案相比，英特尔指出2.5D封装依赖整块硅中介层及TSV（硅通孔）进行芯粒间连接，导致成本上升、设计复杂度增加及良率下降。

而EMIB技术通过将小型硅桥直接嵌入封装基板，在需要互连的芯粒间提供高速连接，无需整块硅中介层，从而降低了材料和制造成本，提升了封装设计的可扩展性。英特尔EMIB技术分为EMIB 2.5D和EMIB 3.5D两种形态，分别适用于逻辑芯片间或逻辑芯片与HBM的连接，以及构建更复杂的异构系统。随着英特尔加速推进代工业务及布局先进制程节点，EMIB与Foveros等先进封装技术将成为提升其竞争力的关键因素，并有望加剧与台积电在高端芯片制造领域的竞争。