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[电脑] 英伟达启动自研HBM内存Base Die设计计划，或改写下一代HBM市场竞争格局

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数码小喇叭 发表于 前天 14:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
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据台媒《工商时报》本月16日报道，英伟达已正式启动自家HBM内存Base Die的设计计划。这一举措意味着，英伟达未来的HBM内存供应链将采用内存原厂DRAM Die与英伟达自研Base Die的组合模式，此举有望对下一代HBM市场的竞争版图产生深远影响。

据悉，英伟达的自研HBM Base Die将采用先进的3nm工艺制程，并预计于2027年下半年开始小规模试产。这一时间点大致与英伟达“Rubin”之后的下一代AI GPU“Feynman”相对应。随着传输速率和功能要求的不断提升，从HBM4开始，HBM内存的Base Die将转向逻辑半导体制程。而英伟达在这一领域的设计经验明显丰富于SK海力士等纯存储半导体制造商，这为其自研Base Die提供了有力支持。

英伟达自研Base Die的举措将带来多方面的好处。首先，这将有助于加强英伟达对HBM内存的议价能力，从而在供应链中占据更有利的地位。其次，自研Base Die使得英伟达能够向其中导入一系列高级功能，进一步提升HBM内存的性能和稳定性。此外，自研Base Die还能为采用NVLink Fusion IP的第三方ASIC提供更多模块化组合，促进技术的共享与创新。
英伟, Die, HBM, Base, 内存

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