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[电脑] 内存速度再次提升近五成!MRDIMM Gen2来了

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数字前沿 发表于 昨天 13:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
在AI算力需求呈指数级增长的背景下,服务器内存技术正经历新一轮变革。继MRDIMM Gen1技术实现内存带宽翻倍后,其第二代产品MRDIMM Gen2已进入商用部署阶段,这项由JEDEC标准化的创新技术,正在为深度学习推理、高性能计算等内存密集型场景提供关键基础设施支持。

MRDIMM Gen2在技术架构上延续了Gen1的混合内存缓冲设计,通过MRCD(混合内存缓冲芯片)与MDB(内存数据缓冲器)组成的双缓冲架构,实现命令与数据信号的并行中转。但新一代产品在关键指标上实现质的飞跃:传输速率较Gen1提升45%,单条内存带宽突破理论极限;能效比优化30%,满足数据中心对PUE值的严苛要求;最大容量扩展至256GB,支持单节点TB级内存配置;延迟指标压缩至85ns以内,较DDR5 RDIMM降低22%。

技术突破的背后是多重创新机制的协同作用。内存颗粒层面,通过优化TSV硅通孔工艺,使3D堆叠封装密度提升40%,同时采用改进的CKD时钟驱动技术,将信号完整性损耗降低15%。在接口协议方面,MRDIMM Gen2引入动态时序校准功能,可根据工作负载自动调整信号参数,配合增强型CRC校验机制,使误码率控制在10^-18量级。这些改进使得新一代模块在保持与RDIMM相同物理尺寸的前提下,将数据传输速率推高至6400MT/s。

生态系统的快速成熟为技术落地铺平道路。Intel至强SP与AMD EPYC两大服务器平台均已确认在下一代产品中全面支持MRDIMM Gen2,相关CPU的内存控制器已完成适配验证。在IP核授权领域,Synopsys、Cadence等EDA巨头已推出支持Gen2标准的完整解决方案。内存模组厂商方面,澜起科技、瑞萨电子、Rambus等企业同步量产MRCD/MDB配套芯片,其中澜起科技的第三代MRCD芯片采用14nm FinFET工艺,功耗较前代降低28%。

实际应用场景测试显示,在ResNet-50图像识别任务中,采用MRDIMM Gen2的服务器较传统DDR5方案实现1.8倍吞吐量提升;在Llama3 70B参数大模型推理场景下,内存带宽瓶颈消除使每秒token处理数增加43%。更值得关注的是,由于MRDIMM Gen2与RDIMM保持引脚兼容,数据中心运营商可在不更换主板的情况下,通过简单插拔实现内存子系统的代际升级,这项特性使技术迁移成本降低60%以上。

当前,MRDIMM Gen2已进入批量供货阶段,戴尔、HPE、联想等服务器厂商的下一代产品路线图中均将其列为标准配置。随着AI训练集群规模突破万卡级别,内存墙问题日益凸显,MRDIMM Gen2提供的384GB/s单路带宽(×4配置)与1.5TB/s聚合带宽,正在成为突破算力瓶颈的关键要素。这项技术的普及或将重塑数据中心内存架构,推动HPC与AI基础设施向更高密度、更低时延的方向演进。
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