存储半导体行业HBM4E竞争白热化，三星、SK海力士及美光积极布局

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随着存储半导体行业第六代高带宽内存（HBM4）竞争的日益激烈，下一代HBM的需求逐渐凸显，推动三星电子与SK海力士加速研发进程。据业内消息，从第七代HBM（即HBM4E）开始，HBM市场将逐渐从“通用型”产品向“定制化”产品转变，核心组件如逻辑裸片可根据客户需求进行定制化设计与供应。

三星电子与SK海力士已设定目标，力争最早于明年上半年完成HBM4E的开发工作。HBM4E预计将搭载于英伟达“Rubin”平台旗舰型号R300等全球大型科技企业的新一代人工智能（AI）加速器中。鉴于搭载HBM4E的AI加速器计划于2027年正式发布，相关厂商正全力推进研发，以期在明年下半年完成产品品质验证。

据预测，HBM4E有望在两年内成为HBM市场的主流产品。兴国证券研究员Son In-jun表示，预计明年HBM需求同比增速将达77%，2027年为68%；而至2027年，HBM4E将占HBM总需求的40%。面对这一市场前景，三星电子与SK海力士已全面投入市场争夺战。

在HBM4市场，SK海力士凭借领先地位巩固了其“单极主导”格局，并已率先与行业龙头英伟达敲定明年HBM4供货量，预计将供应英伟达Rubin平台初期HBM4用量中的相当大比重。尽管英伟达已确认三星电子进入HBM4供应链，但双方供货谈判仍在进行中。

随着定制化HBM需求预计自HBM4E起全面爆发，行业格局或将迎来重塑。目前，三星电子与SK海力士均积极布局定制化HBM市场，关键在于HBM4E的“大脑”——逻辑裸片可依据客户要求进行定制化设计与制造。这要求企业兼具按客户需求定制产品设计的能力及先进的晶圆代工制程能力。三星电子已全面内化上述能力，并自HBM4起采用自家代工工艺生产逻辑裸片，持续积累实践经验。

有半导体行业人士分析，凭借与英伟达的紧密合作关系，SK海力士有望在HBM4E市场延续领先地位；但随着全球大型科技企业纷纷自主研发AI加速器，对HBM4E定制化产品的需求日益多元化，三星电子凭借其快速响应能力的代工制程技术与产能储备，同样具备显著优势，市场格局存在重构可能。

此外，美光也表示正与台积电展开合作，瞄准HBM4E市场。此前，美光在HBM4中采用了自有的先进DRAM工艺，但随着客户对高性能、定制化产品需求的持续提升，对先进代工制程的依赖日益增强，美光因此转向与台积电合作，以强化其技术竞争力。