据ChosunBiz报道,三星电子、SK海力士、铠侠、美光等全球八大NAND闪存制造商正在协同减少今年下半年的NAND闪存供应量。分析人士指出,这种减产策略将不可避免地导致产出损失,厂商试图通过控制供应来推动价格上涨,同时加速将生产线转向四层单元(QLC)制程,以满足人工智能(AI)数据中心对QLC NAND的强劲需求。
目前,三星电子、SK海力士和铠侠正在推动提升NAND闪存价格。其中,三星正与海外大型客户讨论明年的供货量,并考虑将价格上调20%至30%以上。市场研究机构Omdia的数据显示,三星电子已将其今年NAND晶圆产量目标下调至约472万片,较去年减少约7%;铠侠也将产量从去年的480万片调整为今年的469万片。Omdia预计,这两家公司的减产策略将持续至明年。
与此同时,SK海力士和美光也在保守地限制产出。SK海力士NAND产出同比下降约10%,从去年的201万片降至今年约180万片;美光位于新加坡的最大NAND生产基地Fab 7工厂,产能维持在略高于30万片的低位区间。随着主要供应商同步收紧供给,NAND产品平均售价(ASP)显著攀升,研究机构指出,NAND价格仅上一季度便上涨15%,未来涨幅可能达到40%至50%以上。据TrendForce数据,主流512Gb三层单元(TLC)NAND芯片晶圆现货价格较前周上涨14.2%,至5.51美元。
业内人士表示,主要厂商正将资源聚焦于利润更高的QLC产品。QLC每单元存储4比特,在相同晶圆面积下可提升约30%的存储容量,更适用于AI数据中心所需的大容量固态硬盘(SSD)。在将现有TLC NAND产线转向QLC的过程中,部分TLC生产设备已暂停运转,形成减产效应。此前长期受困于NAND供应过剩的三星电子与SK海力士,如今也借价格上行契机提升盈利水平。随着北美大型科技企业因担忧NAND价格飙升而展开“恐慌性采购”,部分分析师指出,2026年全年的NAND供应量或已被提前订购一空。 |